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东芝

TJ8S06M3L

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DPAK+

TJ8S06M3L

Power MOSFET (P-ch single)

产品概要

Application Scope Automotive / Motor Drivers / DC-DC Converters / Switching Voltage Regulators
Polarity P-ch
Generation U-MOSⅥ
Internal Connection Single
AEC-Q101 Conform
RoHS Compatible Product(s) (#) Available
Assembly bases 日本

封装类型

Toshiba Package Name DPAK+
Package Image DPAK+
Pins 3
Mounting Surface Mount
Width×Length×Height
(mm)
6.5×9.5×2.3
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Absolute Maximum Ratings

Characteristics Symbol Rating Unit
Drain-Source voltage VDSS -60 V
Gate-Source voltage VGSS +10/-20 V
Drain current ID -8.0 A
Power Dissipation PD 27 W

产品特性

项目 符号 条件 数值 单位
Gate threshold voltage (Max) Vth - -3.0 V
Drain-Source on-resistance (Max) RDS(ON) |VGS|=10V 104
Drain-Source on-resistance (Max) RDS(ON) |VGS|=6V 130
Input capacitance (Typ.) Ciss - 890 pF
Total gate charge (Typ.) Qg VGS=-10V 19 nC

 

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