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东芝元器件

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东芝

比较器IC

CMOS型

特点/功能 封装(单位:mm) 工作电压范围
VDD (V)
电源
电流
IDD
(μA)
典型值
传播延迟时间
(ns)
典型值
MP6
MP6
USV
USV
SMV
SMV
tpLH tpHL
完整的输入和输出电压范围,
超小型封装,
推挽输出
TC75S70L6X
1.3 V ~ 5.5 V
±0.65 V~±2.75 V 
20 400 800
单/双电源,
推挽输出,
超低电流消耗
TC75S56FU TC75S56F 1.8 V ~ 7 V
±0.9 V~±3.5 V
10 550 250
单/双电源,
推挽输出,
低电流消耗
TC75S57FU TC75S57F 1.8 V ~ 7 V
±0.9 V~±3.5 V
100 110 90
单/双电源,
漏极开路输出,
超低电流消耗
TC75S58FU TC75S58F 1.8 V ~ 7 V
±0.9 V~±3.5 V
10 590 230
单/双电源,
漏极开路输出,
低电流消耗
TC75S59FU TC75S59F 1.8 V ~ 7 V
±0.9 V~±3.5 V
100 160 70
  • 电源电流(IDD)表示当VDD=3V时的值。
  • 传播延迟时间tPLH和tPHL,通过100-mV超速传动和3.3V电源电压进行测量。
特点/功能 封装(单位:mm) 工作电压范围
VDD(V)
电源
电流
IDD
(μA)
typ.
传播延迟时间
(ns)
典型值
MP8
SOT-902
US8
US8
SM8
SM8
tpLH tpHL
完整的输入和输出电压范围,
超小型封装,
推挽输出
TC75W70L8X
1.3V ~ 5.5V
±0.65V~±2.75V 
27 400 800
单/双电源,
推挽输出,
超低电流消耗
TC75W56FK TC75W56FU 1.8V ~ 7V
±0.9V~±3.5V
20 550 250
单/双电源,
推挽输出,
低电流消耗
TC75W57FK TC75W57FU 1.8V ~ 7V
±0.9V~±3.5V
200 110 90
单/双电源,
漏极开路输出,
超低电流消耗
TC75W58FK TC75W58FU 1.8V ~ 7V
±0.9V~±3.5V
20 590 230
单/双电源,
漏极开路输出,
低电流消耗
TC75W59FK TC75W59FU 1.8V ~ 7V
±0.9V~±3.5V
200 160 70
  • 电源电流(IDD)表示当VDD=3V时的值。
  • 传播延迟时间tPLH和tPHL,通过100-mV超速传动和3.3V电源电压进行测量。

双极型

输出配置 类型 封装(单位:mm) 工作电压范围
VCC(V)
电源电流
ICC(mA)
典型值
响应时间
trsp(μs)
典型值
SMV
SMV
SM8
SM8
集电极开路输出 单向 TA75S393F 2V ~ 36V
±1V~±18V
0.4 1.3
双向 TA75W393FU 2V ~ 36V
±1V~±18V
0.8 1.3
  • 电源电流ICC(mA)和响应时间trsp(μs)通过5V的电源电压(VCC)进行测量。
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